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Amortecedor de capacitor de filme de alta corrente para máquina de solda (SMJ-TC)

Pequena descrição:

Modelo do capacitor: SMJ-TC

Características:

1. Eletrodos de nozes de cobre

2. Tamanho físico pequeno e fácil instalação

3. Tecnologia de enrolamento de fita Mylar

4. Enchimento de resina seca

5. Baixa indutância em série equivalente (ESL) e resistência em série equivalente (ESR)

Formulários:

1. Amortecedor GTO

2. Absorção e proteção de pico de tensão e corrente de pico para componentes de comutação em equipamentos eletrônicos

 

Os circuitos amortecedores são essenciais para diodos usados ​​em circuitos de comutação.Ele pode salvar um diodo de picos de sobretensão, que podem surgir durante o processo de recuperação reversa.


Detalhes do produto

Etiquetas de produto

Dados técnicos

Faixa de temperatura operacional Temperatura máxima de operação., Superior, máx.: + 85 ℃ Temperatura da categoria superior: + 85 ℃ Temperatura da categoria inferior: -40 ℃
faixa de capacitância

0,22~3μF

Tensão nominal

3000V.DC~10000V.DC

Cap.tol

±5%(J);±10%(K)

Tensão suportável

1,35Un CC/10S

Fator de dissipação

tgδ≤0,001 f=1KHz

Resistência de isolamento

C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (a 20℃ 100V.DC 60S)

C>0,33μF RS*C≥5000S (a 20℃ 100V.DC 60S)

Suportar corrente de ataque

veja ficha técnica

Expectativa de vida

100000h(Un; Θhotspot≤70°C)

Padrão de referência

CEI 61071;

Recurso

1. Fita Mylar, selada com resina;

2. Cabos de porca de cobre;

3. Resistência a alta tensão, baixo tgδ, aumento de baixa temperatura;

4. baixo AEP e ESR;

5. Corrente de pulso alta.

Aplicativo

1. Amortecedor GTO.

2. Amplamente utilizado em equipamentos eletrônicos de potência quando a tensão de pico, proteção de absorção de corrente de pico.

Circuito típico

1

Desenho de contorno

2

Especificação

Un=3000V.DC

Capacitância (μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0,22

35

44

52

25

1100

242

30

0,33

43

44

52

25

1000

330

35

0,47

51

44

52

22

850

399

45

0,68

61

44

52

22

800

544

55

1

74

44

52

20

700

700

65

1.2

80

44

52

20

650

780

75

1,5

52

70

84

30

600

900

45

2,0

60

70

84

30

500

1000

55

3,0

73

70

84

30

400

1200

65

4,0

83

70

84

30

350

1400

70

Un=6000V.DC

Capacitância (μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0,22

43

60

72

25

1500

330

35

0,33

52

60

72

25

1200

396

45

0,47

62

60

72

25

1000

470

50

0,68

74

60

72

22

900

612

60

1

90

60

72

22

800

900

75

 

Un=7000V.DC

Capacitância (μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0,22

45

57

72

25

1100

242

30

0,68

36

80

92

28

1000

680

25

1,0

43

80

92

28

850

850

30

1,5

52

80

92

25

800

1200

35

1,8

57

80

92

25

700

1260

40

2,0

60

80

92

23

650

1300

45

3,0

73

80

92

22

500

1500

50

 

Un=8000V.DC

Capacitância (μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0,33

35

90

102

30

1100

363

25

0,47

41

90

102

28

1000

470

30

0,68

49

90

102

28

850

578

35

1

60

90

102

25

800

800

40

1,5

72

90

102

25

700

1050

45

2,0

83

90

102

25

650

1300

50

 

Un=10000V.DC

Capacitância (μF)

φD (mm)

L(mm)

L1(mm)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Irms(A)

0,33

45

114

123

35

1500

495

30

0,47

54

114

123

35

1300

611

35

0,68

65

114

123

35

1200

816

40

1

78

114

123

30

1000

1000

55

1,5

95

114

123

30

800

1200

70


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