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Capacitor de filme CA da China a preço de atacado - Capacitor snubber IGBT de filme metalizado – CRE

Capacitor de filme CA da China a preço de atacado - Capacitor snubber IGBT de filme metalizado – Imagem em destaque da CRE
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Dados técnicos

 

Faixa de temperatura operacional Temperatura máxima de operação: +105 °C (categoria superior); +85 °C (categoria inferior); -40 °C (categoria inferior).
faixa de capacitância 0,1μF～5,6μF
Tensão nominal 700 V CC a 3000 V CC
Cap.tol ±5%(J); ±10%(K)
Suportar tensão 1,5Un DC/10S
Fator de dissipação tgδ≤0,0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0,001 C≥1μF f=10KHz
Resistência de isolamento

C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (a 20℃ 100V.DC 60S)

C > 0,33 μF RS*C ≥ 5000 S (a 20 °C, 100 V CC, 60 s)
Resistir à corrente de ataque

具体见规格表
Retardante de chama

UL94V-0
Expectativa de vida

100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
Padrão de referência

IEC61071;GB/T17702;

 

Tensão Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
Dimensão (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR a 100 kHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms a 40℃ a 100KHz (A)
0,47 42,5 24,5 27,5 12 25 500 235 8
0,68 42,5 24,5 27,5 10 25 480 326,4 10
1 42,5 24,5 27,5 8 24 450 450 12
1,5 42,5 33,5 35,5 7 25 430 645 5
2 42,5 33 35,5 6 24 420 840 15
2,5 42,5 33 45 6 23 400 1000 18
3 42,5 33 45 5,5 22 380 1140 20
3 57,5 30 45 5 26 350 1050 22
3,5 42,5 33 45 5 23 350 1225 25
3,5 57,5 30 45 6 25 300 1050 22
4,7 57,5 35 50 5 28 280 1316 25
5.6 57,5 38 54 4 30 250 1400 25
6 57,5 38 54 3,5 33 230 1380 28
6,8 57,5 42,5 56 3.2 32 220 1496 32
8 57,5 42,5 56 2.8 30 200 1600 33

 

Tensão Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
Dimensão (mm)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,47 42,5 24,5 27,5 11 25 1000 470 10
0,68 42,5 24,5 27,5 8 25 800 544 12
1 42,5 33,5 35,5 6 24 800 800 15
1,5 42,5 33 45 6 24 700 1050 15
2 42,5 33 45 5 22 700 1400 20
2,5 57,5 30 45 5 30 600 1500 22
3 57,5 35 50 4 30 600 1800 25
3.3 57,5 35 50 3,5 28 550 1815 25
3,5 57,5 38 54 3,5 28 500 1750 25
4 57,5 38 54 3.2 26 500 2000 28
4,7 57,5 42,5 56 3 25 420 1974 30
5.6 57,5 42,5 56 2.8 24 400 2240 32

 

Tensão Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,47 42,5 24,5 27,5 11 24 1200 564 10
0,68 42,5 33,5 35,5 7 23 1100 748 12
1 42,5 33,5 35,5 6 22 800 800 14
1,5 42,5 33 45 5 20 800 1200 15
2 57,5 30 45 4 30 750 1500 20
2,5 57,5 35 50 4 28 700 1750 25
3 57,5 35 50 4 27 600 1800 25
3.3 57,5 38 54 4 27 550 1815 28
3,5 57,5 38 54 3,5 25 500 1750 28
4 57,5 42,5 56 3,5 25 450 1800 30
4,7 57,5 42,5 56 3.2 23 420 1974 32

 

Tensão Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,33 42,5 24,5 27,5 12 25 1300 429 9
0,47 42,5 24,5 27,5 10 24 1300 611 10
0,68 42,5 33,5 35,5 8 23 1300 884 12
1 42,5 33 45 7 22 1200 1200 15
1,5 42,5 33 45 6 22 1200 1800 18
1,5 57,5 30 45 5 31 1200 1800 20
2 57,5 30 45 5 30 1100 2200 22
2,5 57,5 35 50 4 28 1100 2750 25
3 57,5 38 54 4 27 700 2100 25
3.3 57,5 38 54 3,8 26 600 1980 28
3,5 57,5 42,5 56 3,5 25 500 1750 30
4 57,5 42,5 56 3.2 25 450 1800 32

 

Tensão Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,22 42,5 24,5 27,5 15 25 1500 330 10
0,33 42,5 33,5 35,5 12 24 1500 495 12
0,47 42,5 33,5 35,5 11 23 1400 658 15
0,68 42,5 33 45 8 22 1200 816 18
0,68 57,5 30 45 7 30 1100 748 20
0,82 42,5 33 45 7 28 1200 984 22
1 57,5 30 45 6 28 1100 1100 25
1,5 57,5 35 50 5 25 1000 1500 28
2 57,5 38 54 5 24 800 1600 28
2.2 57,5 42,5 56 4 23 700 1540 32

 

Tensão Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
0,15 42,5 33 45 18 28 2500 375 25
0,22 42,5 33 45 15 27 2200 484 28
0,22 57,5 35 50 15 25 2000 330 20
0,33 57,5 35 50 12 24 1800 495 20
0,47 57,5 38 54 11 23 1600 752 22
0,68 57,5 42,5 56 8 22 1500 1020 28

Recurso

1. Plástico, selado com resina;

2. Terminais com insertos de cobre estanhado, facilitando a instalação em IGBTs;

3. Resistência a alta tensão, baixo tgδ, baixa elevação de temperatura;

4. ESL e ESR baixos;

5. Corrente de pulso alta.

Graças à utilização de construções internas de baixa indutância, invólucros opcionais em resina moldada e terminações personalizadas, a série SMJ-P foi projetada para IGBTs de comutação rápida e pode servir como circuitos de proteção (snubbers) e filtros de entrada de alta corrente e alta frequência.

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