Capacitor snubber GTO em equipamentos eletrônicos de potência

Descrição resumida:

Os circuitos snubber são essenciais para diodos usados em circuitos de comutação. Eles podem proteger um diodo de picos de sobretensão que podem ocorrer durante o processo de recuperação reversa.

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Detalhes do produto

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Dados técnicos

Faixa de temperatura operacional	Temperatura máxima de operação: +85 °C (categoria superior) / -40 °C (categoria inferior).
faixa de capacitância	0,22～3μF
Tensão nominal	3000V CC a 10000V CC
Cap.tol	±5%(J); ±10%(K)
Suportar tensão	1,35Un DC/10S
Fator de dissipação	tgδ≤0,001 f=1KHz
Resistência de isolamento	C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (a 20℃ 100V.DC 60S) C > 0,33 μF RS*C ≥ 5000 S (a 20 °C, 100 V CC, 60 s)
Resistir à corrente de ataque	veja a ficha técnica
Expectativa de vida	100000h(Un; Θhotspot≤70°C)
Padrão de referência	IEC 61071;

Recurso

1. Fita Mylar, selada com resina;

2. Terminais de porca de cobre;

3. Resistência a alta tensão, baixo tgδ, baixa elevação de temperatura;

4. ESL e ESR baixos;

5. Corrente de pulso alta.

Aplicativo

1. Amortecedor GTO.

2. Amplamente utilizado em equipamentos eletrônicos de potência para proteção contra picos de tensão e corrente.

Circuito típico

Desenho de contorno

Especificação

Un=3000V.DC
Capacitância (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	35	44	52	25	1100	242	30
0,33	43	44	52	25	1000	330	35
0,47	51	44	52	22	850	399	45
0,68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1,5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Capacitância (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	43	60	72	25	1500	330	35
0,33	52	60	72	25	1200	396	45
0,47	62	60	72	25	1000	470	50
0,68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Capacitância (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	45	57	72	25	1100	242	30
0,68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1,5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Capacitância (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,33	35	90	102	30	1100	363	25
0,47	41	90	102	28	1000	470	30
0,68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1,5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Capacitância (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,33	45	114	123	35	1500	495	30
0,47	54	114	123	35	1300	611	35
0,68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1,5	95	114	123	30	800	1200	70